[实用新型]一种能够消除衬偏效应的传输门电路

摘要

本实用新型公开了一种能够消除衬偏效应的传输门电路。一种能够消除衬偏效应的传输门电路包括第一PMOS管M1、第一NMOS管M2、第二PMOS管M3和第三PMOS管M4。本实用新型所达到的有益效果在于，当控制端S为低电平时，第三PMOS管M4导通使得第一PMOS管M1的衬底和输入端A接在一起，这样就没有衬偏效应存在，降低了传输门的导通电阻；当控制端S为高电平时，第二PMOS管M3导通使得第一PMOS管M1的衬底接到电源VDD，这样可以保证输入端A在电源VDD和地之间进行变化，源漏到衬底的寄生二极管一直处在反偏。

主权项

一种能够消除衬偏效应的传输门电路，其特征在于：包括第一PMOS管M1、第一NMOS管M2、第二PMOS管M3和第三PMOS管M4；第一PMOS管M1的栅极接控制端S，源极接输入端A，漏极接输出端B，衬底接第二PMOS管M3的漏极和第三PMOS管M4的源极；第一NMOS管M2的栅极接控制端，源极接输入端A，漏极接输出端B；第二PMOS管M3的栅极接控制端，源极接电源VDD，漏极接第一PMOS管M1的衬底和第三PMOS管M4的源极；第三PMOS管M4的栅极接控制端S，源极接第二PMOS管M3的漏极和第一PMOS管M1的衬底，漏极接输入端A。