[实用新型]管式PECVD设备有效
| 申请号： | 201720555046.9 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN206902232U | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 方结彬;林纲正;赖俊文;何乃林;殷文杰;何达能;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱旭科技股份有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/04;C23C16/50;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种管式PECVD设备，包括晶片装载区、炉体、特气柜、真空系统、控制系统以及石墨舟，其中，所述石墨舟用于装卸硅片，所述石墨舟包括卡点，所述卡点包括卡点轴、卡点帽和卡点底座，所述卡点轴安装在卡点底座上，所述卡点帽与卡点轴连接，所述卡点轴与卡点帽、卡点底座之间形成卡点槽，卡点槽的深度为0.5‑1mm。采用本实用新型，结构简单，制得的电池外观良率和EL良率高，解决划伤和/或绕镀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | pecvd 设备 | ||
【主权项】：
一种管式PECVD设备，其特征在于，包括晶片装载区、炉体、特气柜、真空系统、控制系统以及石墨舟，其中，所述石墨舟用于装卸硅片，所述石墨舟包括卡点，所述卡点包括卡点轴、卡点帽和卡点底座，所述卡点轴安装在卡点底座上，所述卡点帽与卡点轴连接，所述卡点轴与卡点帽、卡点底座之间形成卡点槽，卡点槽的深度为0.5‑1mm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
