[实用新型]一种应用Low‑K厚介质层的超低电容瞬态电压抑制器结构

摘要

本实用新型涉及一种应用Low‑K厚介质层的超低电容瞬态电压抑制器结构，包括硅基衬底，处于硅基衬底上表面的外延层，以及处于外延层上表面上方的金属层，在金属层下表面与外延层上表面之间设有层间介质层，所述金属层上表面形成钝化层；所述层间介质层中部开设有贯穿层间介质层上下表面的接触孔，金属层沉积穿过接触孔与外延层接触，所述层间介质层为低阶电常数介质层，层间介质层的厚度为2微米—5微米。本实用新型采用介电常数为3.5的掺氟二氧化硅或介电常数为3.0的掺碳二氧化硅作为层间介质层，以及厚度控制在厚度为2微米—5微米，相比于同款抑制器中，可以将介质层电容降低20—30％，从而也就能够降低TVS的整体电容，减少抑制器中的寄生电容。

主权项

一种应用Low‑K厚介质层的超低电容瞬态电压抑制器结构，其特征在于，包括硅基衬底，处于硅基衬底上表面的外延层，以及处于外延层上表面上方的金属层，在金属层下表面与外延层上表面之间设有层间介质层，所述金属层上表面形成钝化层；所述层间介质层中部开设有贯穿层间介质层上下表面的接触孔，金属层沉积穿过接触孔与外延层接触，所述层间介质层为低阶电常数介质层，层间介质层的厚度为2微米—5微米。