[实用新型]一种高速VCSEL激光器外延结构有效
| 申请号： | 201720568498.0 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN207217999U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 单智发 | 申请（专利权）人： | 苏州全磊光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种高速VCSEL激光器外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次采用MOCVD沉积GaAs缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述氧化限制层由多个Ga组分可自由调节的Al1‑xGaxAs外延层组成，其中X为Ga元素的组分。该激光器外延结构采用一定厚度的组分跳变的多层Al1‑xGaxAs形成氧化限制层，氧化限制层前端的形状可通过调节各层Al1‑xGaxAs的组分改变，可在氧化限制层前端形成lens结构，减小光子的散射损失，从而提高VCSEL的调制带宽。本实用新型还具有以下优点1）通过调节氧化限制层中Ga的比例，减小氧化限制层的氧化速率，使氧化易于控制，提高VCSEL芯片产品良率；2）本实用新型氧化限制层厚度大，本征寄生电容小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 vcsel 激光器 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种高速VCSEL激光器外延结构，包括GaAs衬底（01），在GaAs衬底（01）上依次采用MOCVD沉积GaAs 缓冲层（02）、N型掺杂的DBR（03）、有源层（04）、氧化限制层（05）、P型掺杂的DBR（06）和欧姆接触层（07），其特征在于：所述氧化限制层（05）由多个Ga组分跳变的Al1‑xGaxAs外延层组成，其中X为Ga元素的组分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州全磊光电有限公司，未经苏州全磊光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720568498.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自补偿式半导体激光器装置
- 下一篇：一种多视窗医院用配电柜
