[实用新型]具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaNHEMT元胞结构有效
| 申请号： | 201720569457.3 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN207068862U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;李百泉;倪炜江;张敬伟;牛喜平;李明山;耿伟;徐妙玲 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张永革 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaN HEMT元胞结构，源极通过金属材料与石墨烯掩埋散热层连接；器件采用纵向栅极结构，将传统的HEMT器件中长的横向沟道开启模式转变成短的纵向沟道开启模式，栅极由长的横向电流控制沟道转变为短的纵向电流控制沟道，器件利用短的栅极侧壁沟道来实现开关控制，从而有效减小器件的导通电阻；可以实现高密度的元胞结构，提高器件的有效利用面积和单位面积功率密度；同时利用石墨烯优越的热导率迅速将器件有源区产生的热量导走，可以有助于实现大功率GaN HEMT器件，增长器件的高温可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 石墨 掩埋 纵向 栅极 ganhemt 结构 | ||
【主权项】：
具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaN HEMT元胞结构，其特征在于，包括衬底和依次向上生长的AlN隔离层、GaN缓冲层、沟道层和AlGaN势垒层；所述衬底与所述AlN隔离层之间还依次生成有AlN层和石墨烯掩埋散热层；源极设置在所述石墨烯掩埋散热层上与石墨烯掩埋散热层连接，栅极与漏极之间设置有纵向沟道。
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