[实用新型]导体结构及电容器阵列有效

专利信息
申请号: 201720583445.6 申请日: 2017-05-24
公开(公告)号: CN207038196U 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 伍荣翔;方向明 申请(专利权)人: 成都线易科技有限责任公司;电子科技大学
主分类号: H01B5/02 分类号: H01B5/02;H01G4/005
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 代理人: 王宁宁
地址: 610213 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型实施例提供的导体结构及电容器阵列包括第一主体和多个第一延伸部,第二主体和多个第二延伸部。第一延伸部均与第一主体连接,第一延伸部向第二主体延伸;第二延伸部均与第二主体连接,第二延伸部向第一主体延伸。以第一主体以及第二主体的中线为界,第一延伸部靠近第二主体的一端的面积大于第一延伸部靠近第一主体的一端的面积,第二延伸部靠近第一主体的一端的面积大于第二延伸部靠近第二主体的一端的面积。对于该导体结构一侧的干扰导体而言,远离干扰导体的导体的重心更靠近干扰导体,靠近干扰导体的导体的重心更远离干扰导体,从而使得结构上不能对称的导体结构同样可以产生共模信号,从而容易被差分信号检测端口过滤。
搜索关键词: 导体 结构 电容器 阵列
【主权项】:
一种导体结构,其特征在于,所述导体结构包括:第一导体和第二导体,所述第一导体与第二导体位于同一平面内,所述第一导体包括第一主体和多个第一延伸部,所述第二导体包括第二主体和多个第二延伸部,所述多个第一延伸部均与所述第一主体连接,所述多个第二延伸部均与所述第二主体连接;所述第一延伸部向所述第二主体延伸,所述第二延伸部向所述第一主体延伸,以所述第一主体以及第二主体的中线为界,所述第一延伸部靠近第二主体的一端的面积大于所述第一延伸部靠近第一主体的一端的面积,所述第二延伸部靠近所述第一主体的一端的面积大于所述第二延伸部靠近第二主体的一端的面积。
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