[实用新型]一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管

摘要

本实用新型提供一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管，N+型衬底的正面设有N‑型集电区，背面设有背面金属层；N‑型集电区内的中间部分形成P型基区，PN结深度为10μm，P型基区上连接有极金属层，N‑型集电区内的边缘部分形成N+型中止环，P型基区内设有N+型发射区，N+型发射区周围设有N+型增阻环，N+型增阻环设在P型基区内，N+型发射区上连接发射极金属层；N‑型集电区表面覆盖氧化层，氧化层上覆盖钝化层，钝化层开两个窗口，分别引出基极和发射极金属层；本实用新型通过减小P型基区的结深，增设中止环结构，同时采用了增阻环结构，并减小晶体管的面积，使产品具有可靠性高，漏电小，电流大，高频，低饱和压降、开关时间速度快等特点。

主权项

一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管，包括N+型衬底（9），所述N+型衬底（9）的正面设有N‑型集电区（8），所述N+型衬底（9）背面设有背面金属层（10），用于引出晶体管的集电极；所述N‑型集电区（8）中间形成有P型基区（7），其特征在于，所述P型基区（7）深入到N‑型集电区（8）内，深度为10μm，所述P型基区（7）上连接有基极金属层（1），用于引出晶体管的基极，所述N‑型集电区（8）边缘形成有N+型中止环（11），所述N+型中止环（11）深入到N‑型集电区（8）内，所述P型基区（7）内设有N+型发射区（5），所述N+型发射区（5）周围设有N+型增阻环（6），所述N+型增阻环（6）设在P型基区（7）内，所述N+型发射区（5）上连接有发射极金属层（2），用于引出晶体管的发射极；所述N‑型集电区（8）表面覆盖有氧化层（4），所述基极金属层（1）和发射极金属层（2）间通过氧化层（4）隔离，所述氧化层（4）上覆盖有表面钝化层（3），所述表面钝化层（3）对应P型基区（7）和N+型发射区（5）各开一个窗口，分别用于引出基极金属层（1）和发射极金属层（2）。