[实用新型]一种两层堆叠的Lange桥射频芯片有效
| 申请号： | 201720637105.7 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN206976339U | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 刘丽 | 申请（专利权）人： | 成都汉芯国科集成技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/31 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124 | 代理人： | 吴中伟 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体射频芯片制造领域，其公开了一种两层堆叠的Lange桥射频芯片，解决传统技术中Lange桥射频芯片与无源馈电网络采用分离式设计，造成系统封装中能够集成的芯片数量非常有限的问题。该芯片包括位于顶层的Lange桥射频芯片及位于底层的无源馈电网络射频芯片，通过在Lange桥射频芯片的背面和无源馈电网络射频芯片的正面的对应位置设置连接凸点，通过连接凸点的对位键合使得两个芯片形成一个整体，从而减小占用体积；此外，由于无源馈电网络采用芯片集成设计，一颗芯片中可以集成两路无源直流滤波馈电网络射频电路，可以对两个射频功能芯片进行直流馈电，从而增加了同一封装内封装的功能芯片的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 lange 射频 芯片 | ||
【主权项】：
一种两层堆叠的Lange桥射频芯片，其特征在于，包括：位于顶层的Lange桥射频芯片及位于底层的无源馈电网络射频芯片，所述Lange桥射频芯片与所述无源馈电网络射频芯片对位堆叠键合成一个整体：所述Lange桥射频芯片的背面上设计有位于上部位置的第一连接凸点(4)和第二连接凸点(5)，位于下部位置的第三连接凸点(6)和第四连接凸点(7)；所述无源馈电网络射频芯片的正面上设计有位于上部位置的第五连接凸点(8)和第六连接凸点(9)，位于下部位置的第七连接凸点(10)和第八连接凸点(11)；所述第一连接凸点(4)和第二连接凸点(5)分别与第五连接凸点(8)和第六连接凸点(9)对位键合；所述第三连接凸点(6)和第四连接凸点(7)分别与第七连接凸点(10)和第八连接凸点(11)对位键合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都汉芯国科集成技术有限公司，未经成都汉芯国科集成技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720637105.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种鸡舍空气病菌净化装置
- 下一篇：一种空气净化装置
- 同类专利
- 专利分类
