[实用新型]电子器件有效
| 申请号： | 201720643615.5 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN207303109U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | P·莫恩斯;郭佳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电子器件。所述电子器件包括第一沟道层；覆盖在第一沟道层上面并具有延伸通过该第一沟道层的开口的第二沟道层；开口内的绝缘体；以及延伸到开口中的栅极电极，其中绝缘体设置在栅极电极和第二沟道层之间，其中双沟道晶体管包括第一沟道层、第二沟道层和栅极电极。本实用新型解决的一个技术问题是改进电子器件。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：第一沟道层；第二沟道层，其覆盖在所述第一沟道层上面并且具有延伸通过所述第一沟道层的开口；所述开口内的绝缘体；以及延伸到所述开口中的栅极电极，其中所述绝缘体设置在所述栅极电极和所述第二沟道层之间，其中双沟道晶体管包括所述第一沟道层和所述第二沟道层以及所述栅极电极。
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