[实用新型]一种低损耗自适应偏置电路及无线发射系统有效
申请号: | 201720747104.8 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN207218642U | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 蔡秋富;章国豪 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24;H04B1/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 510062 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种低损耗自适应偏置电路及无线发射系统,其中,低损耗自适应偏置电路,包括具有电流镜结构的第一NPN型三极管和第二NPN型三极管、晶体管和偏置电容。通过具体的电路结构,在输入功率增大且不超过临界值时,使得功率管的集电极的电流随输入功率的增大而增大,当输入功率进一步增大且超过临界值时,使得功率管的集电极的电流随输入功率的增大而降低,最终趋于稳定。由此可见,本实用新型提供的低损耗自适应偏置电路及无线发射系统能够在高输入功率时防止功率管的集电极的电流剧烈增加,有效调整消耗的电流和输出功率,提升效率。此外,本电路所用器件成本较低,易于实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 损耗 自适应 偏置 电路 无线 发射 系统 | ||
【主权项】:
一种低损耗自适应偏置电路,其特征在于,包括具有电流镜结构的第一NPN型三极管和第二NPN型三极管、晶体管和偏置电容;所述第一NPN型三极管的集电极与基极连接,发射极和功率放大器的功率管的控制端连接;所述第二NPN型三极管的集电极与基极连接,发射极和所述晶体管的第一端连接,所述晶体管的第二端接地;所述偏置电容的第一端分别与所述第一NPN型三极管的基极、所述第二NPN型三极管的基极以及供电电源连接,第二端接地。
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