[实用新型]一种超低阈值的门控淬灭电路有效
申请号: | 201720748260.6 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN206948284U | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 白涛;刘小淮;乔伟 | 申请(专利权)人: | 北方电子研究院安徽有限公司 |
主分类号: | H03K17/785 | 分类号: | H03K17/785;H03K17/687;G01S17/89 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人: | 耿英,董建林 |
地址: | 233040*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种超低阈值的门控淬灭电路,包括充电管MOS管M2、淬灭管MOS管M1和多个MOS管。本实用新型的超低阈值门控淬灭电路,可以检测微弱的雪崩电流信号,可以把光(暗)载流子触发的雪崩电流瞬间放大至超过一个NMOS阈值电压,使SPAD两端的电压由雪崩击穿电压以上降至雪崩击穿电压以下,进而淬灭雪崩电流。与传统的电压放大相比较,本实用新型电路的响应时间更短,因而更能有效降低死时间和后脉冲效应。 | ||
搜索关键词: | 一种 阈值 门控 电路 | ||
【主权项】:
一种超低阈值的门控淬灭电路,其特征是,包括充电管MOS管M2、淬灭管MOS管M1、MOS管M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10和M11;MOS管M2与MOS管M1的漏极共连至A点及MOS管M3的源极;MOS管M1的源极接电源VDD;MOS管M2的源极接地;MOS管M2的栅极接ARM信号;MOS管M1的栅极接E点作为淬灭电路的输出STOP,同时连接至MOS管M11的漏极、MOS管M4的漏极及恒流源I的输出端,恒流源I的输入端连接至电源ADD;MOS管M3的栅极接信号,MOS管M3的漏极连接至B点及MOS管M7的源极、MOS管M5的漏极,MOS管M5源极接地;MOS管M11的源极接电源ADD,MOS管M11的栅极接信号;MOS管M4源极接地,MOS管M4的栅极接D点及MOS管M7、M9漏极共接点;MOS管M9的源极接电源VDD,MOS管M9的栅极连接点C及MOS管M10的栅极和漏极、MOS管M8的漏极,MOS管M10的源极接电源VDD;MOS管M7的栅极与MOS管M8的栅极、MOS管M5的栅极与MOS管M6的栅极共连接至VC,MOS管M8的源极连接至MOS管M6的漏极,MOS管M6的源极接地。
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