[实用新型]雪崩二极管和雪崩二极管阵列有效
| 申请号： | 201720762318.2 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN206992134U | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | L·斯塔克 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(R&D)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18;H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 英国白*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及雪崩二极管和雪崩二极管阵列。一种雪崩二极管包括PN结，该PN结具有与该PN结相邻的第一深沟槽结构。提供了光子进行撞击所经由的区域，该PN结相对于该区域基本上纵向地延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 雪崩 二极管 阵列 | ||
【主权项】：
一种雪崩二极管，其特征在于，包括：PN结；第一深沟槽结构，所述第一深沟槽结构与所述PN结相邻；以及光子进行撞击所经由的区域，所述PN结相对于所述区域基本上纵向地延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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