[实用新型]一种化合物半导体器件的金属结构有效
| 申请号： | 201720772654.5 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN207068863U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 吕前宏;茆同海 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/41 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 张松亭,陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种化合物半导体器件的金属结构，所述金属结构设于化合物半导体基底之上，包括下金属层、阻挡层以及上金属层，其中所述下金属层与所述化合物半导体基底接触，所述阻挡层覆盖所述下金属层的顶面和侧面并延伸至覆盖所述下金属层周边的所述化合物半导体基底表面，所述上金属层设置于所述阻挡层的顶面之上。本实用新型的金属结构有效避免了上金属层从边缘扩散进入化合物半导体基底而导致的漏电问题，提高了器件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体器件 金属结构 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件的金属结构，其特征在于：所述金属结构设于化合物半导体基底之上，包括下金属层、阻挡层以及上金属层，其中所述下金属层与所述化合物半导体基底接触，所述阻挡层覆盖所述下金属层的顶面和侧面并延伸至覆盖所述下金属层周边的所述化合物半导体基底表面，所述上金属层设置于所述阻挡层的顶面之上。
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