[实用新型]N型GaN极化掺杂欧姆接触电极有效
申请号: | 201720784788.9 | 申请日: | 2017-07-01 |
公开(公告)号: | CN206947351U | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 房玉龙;宋旭波;冯志红 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L29/45 | 分类号: | H01L29/45 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 李荣文 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,涉及N‑GaN欧姆接触电极技术领域,N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,在N型GaN极化掺杂结构上是Si/Ti/Al/Ni/Au结构的电极,半导体工艺中金属都会进行高温退火处理,高温下Si扩散到N型GaN极化掺杂结构中,相当于增加了N型GaN表面掺杂的作用,从而改善欧姆接触电阻,降低N型GaN极化掺杂器件的电压,Ni/Au层Au起到抗氧化的作用,Al/Au之间的中间层则起到晶格过渡和防止Al层球化的作用。 | ||
搜索关键词: | gan 极化 掺杂 欧姆 接触 电极 | ||
【主权项】:
N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,欧姆接触电极与N型GaN极化掺杂结构直接接触,其特征在于:直接与N型GaN极化掺杂结构接触的为一层Si,Si上方为金属层。
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