[实用新型]一种碳化硅晶体生长装置有效
| 申请号： | 201720786631.X | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN207109156U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 宗艳民;窦文涛 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型属于晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚，坩埚外设有保温层，保温层包括上保温层、下保温层和侧保温层，所述的侧保温层外侧呈阶梯状且厚度由上至下依次增加；侧保温层内侧为锯齿状反射面；坩埚侧壁上均匀分布有加热体I；坩埚底部设有加热体II；加热体I与功率控制器相连，加热体II与升降装置相连。本实用新型结构简单，使用方便，本实用新型可以在晶体生长过程中精确控制温场的梯度和稳定性，保证晶体生长质量，并且还可以将热量损失降到最低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚(1)，坩埚(1)外设有保温层，其特征在于：保温层包括上保温层(2)、下保温层(3)和侧保温层(4)，所述的侧保温层(4)外侧呈阶梯状且厚度由上至下依次增加；侧保温层(4)内侧为锯齿状反射面(5)；坩埚(1)侧壁上均匀分布有加热体I(6)；坩埚(1)底部设有加热体II(7)；加热体I(6)与功率控制器(8)相连，加热体II(7)与升降装置(9)相连。
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