[实用新型]晶片载体及化学气相沉积装置有效
申请号: | 201720835789.1 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN207052589U | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 郭世平;姜勇;陶珩;李可;杜志游 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人: | 周荣芳 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种晶片载体及其所在的化学气相沉积装置,包括本体,该本体具有彼此相对布置的顶表面和底表面,所述顶表面包括具有圆形轮廓的周缘;多个呈圆形的具有第一直径的凹穴,其设置在所述晶片载体的顶表面的周缘内且以所述圆形轮廓的圆心为圆心呈两个同心圆分布,所述多个具有第一直径的凹穴中的第一部分凹穴均匀且相互外切地布置在所述两个同心圆的第一同心圆中,所述第一同心圆位于所述第二同心圆内部;并且在所述顶表面的周缘内还包括多个具有第二直径的呈圆形的第三部分凹穴,每一个所述第三部分凹穴位于由所述第二部分凹穴中的相切的两个凹穴和相邻的第一部分凹穴中的两个凹穴之间的空间内,所述第二直径小于所述第一直径。 | ||
搜索关键词: | 晶片 载体 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种晶片载体,该晶片载体适用于化学气相沉积装置或外延生长装置,其特征在于,所述晶片载体包括:本体,该本体具有彼此相对布置的顶表面和底表面,所述顶表面包括具有圆形轮廓的周缘;多个呈圆形的具有第一直径的凹穴,其设置在所述晶片载体的顶表面的周缘内且以所述圆形轮廓的圆心为圆心呈两个同心圆分布,所述多个具有第一直径的凹穴中的第一部分凹穴均匀且相互外切地布置在所述两个同心圆的第一同心圆中,所述多个具有第一直径的凹穴中的第二部分凹穴均匀且相互外切地布置在所述两个同心圆的第二同心圆中,所述第一同心圆位于所述第二同心圆内部;并且所述第二部分凹穴中的任意相邻的两个凹穴与位于其内侧的相邻的第一部分凹穴中的一个凹穴的排布方式为:该三个凹穴所确定的三个圆外切,且三个圆的圆心连线构成正三角形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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