[实用新型]前照式图像传感器有效
| 申请号： | 201720853122.4 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN207558795U | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 徐泽;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种前照式图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底形成有对应于像素单元的光电二极管区域；形成于所述半导体衬底上的多层金属互连层；至少一层金属互连层具有：形成于所述光电二极管区域上方的光密介质区域；位于所述光密介质区域周围的金属层；覆盖所述金属层及光密介质区域周围的光疏介质区域。本实用新型通过在光电二极管区域上增加折射率高的光密介质材料，起到光导管的作用，减少反射和折射引起得光信号损失，从而提高图像传感器的灵敏度，降低串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管区域 图像传感器 光密介质 衬底 半导体 本实用新型 金属层 光导管 光密介质材料 光信号损失 金属互连层 多层金属 光疏介质 像素单元 灵敏度 互连层 折射率 串扰 反射 折射 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种前照式图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底形成有对应于像素单元的光电二极管区域；形成于所述半导体衬底上的多层金属互连层；至少一层金属互连层具有：形成于所述光电二极管区域上方的光密介质区域；位于所述光密介质区域周围的金属层；覆盖所述金属层及光密介质区域周围的光疏介质区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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