[实用新型]一种DC‑20GHz吸收式单刀单掷开关

摘要

本实用新型涉及微波开关技术领域，尤其为DC‑20GHz吸收式单刀单掷开关，有7级开关晶体管结构，两个射频输入输出端口，两个直流控制端口，各级晶体管通过电感相连，组成多级串并联开关结构；各级晶体管栅极通过高阻值电阻与直流控制端口相连，实现状态控制；整体电路以第4级晶体管为轴线镜面对称；两个射频输入、输出端口可互易作为输出、输入端口。本实用新型电路结构简单，具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷，能够满足雷达、通讯等微波工程的指标需求。

主权项

一种DC‑20GHz吸收式单刀单掷开关，包括有7级开关晶体管结构，两个射频输入输出端口RF1、RF2，两个直流控制端口VC1、VC2，其特征在于：射频输入端RF1通过电感L1与第1级晶体管T1源极相连；第1级晶体管T1栅极通过高阻值电阻R3与直流控制端口VC1相连；输入级负载电阻R1一端连接第1级晶体管T1源极，另一端连接在其漏极；第1级晶体管T1漏极通过电感L2与第2级晶体管T2漏极相连；第2级晶体管T2栅极通过高阻值电阻R4与直流控制端口VC2相连；第2级晶体管T2源极通过电感L3接地；第2级晶体管T2漏极通过电感L4与第3级晶体管T3漏极相连；第3级晶体管T3栅极通过高阻值电阻R5与直流控制端口VC2相连；第3级晶体管T3源极通过电感L5接地；第3级晶体管T3漏极直接与第4级晶体管T4源极相连；第4级晶体管T4栅极通过高阻值电阻R6与直流控制端口VC1相连；第4级晶体管T4漏极直接与第5级晶体管T5漏极相连；第5级、第6级、第7级晶体管连接方式以第4级晶体管T4为轴线分别与第3级、第2级、第1级晶体管镜面对称。