[实用新型]一种SiC欧姆接触结构有效
| 申请号： | 201720867878.4 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN207165577U | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张艺蒙;张玉明;李彦良;宋庆文;汤晓燕 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种SiC欧姆接触结构，包括SiC衬底11；第一Ni层12，设置于所述SiC衬底11上；Ti层13，设置于所述第一Ni层12上；第二Ni层14，设置于所述Ti层13上；TaSi2层15，设置于所述第二Ni层14上；Pt层16，设置于所述TaSi2层15上。本实用新型提供的SiC欧姆接触结构提高了欧姆接触的热稳定性和抗氧化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 欧姆 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种SiC欧姆接触结构，其特征在于，包括：SiC衬底(11)；第一Ni层(12)，设置于所述SiC衬底(11)上；Ti层(13)，设置于所述第一Ni层(12)上；第二Ni层(14)，设置于所述Ti层(13)上；TaSi2层(15)，设置于所述第二Ni层(14)上；Pt层(16)，设置于所述TaSi2层(15)上。
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