[实用新型]一种降低正面边缘损坏风险的MOSFET芯片有效
| 申请号： | 201720881631.8 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN207233744U | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李江华;孙效中;汤为 | 申请（专利权）人： | 常州旺童半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 常州知融专利代理事务所(普通合伙)32302 | 代理人： | 张岳 |
| 地址： | 213000 江苏省常州市武进区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其是一种降低正面边缘损坏风险的MOSFET芯片，具有芯片本体，所述芯片本体包括有背面金属层、正面金属层以及设在背面金属层与正面金属层之间的衬底，背面金属层的面积大于正面金属层的面积，所述的衬底与背面金属层接触面且靠近边缘处均设有绝缘层，降低芯片背面边缘的电流密度，让达到芯片正面的电流更加均匀，降低芯片正面边缘的电流密度，降低芯片正面边缘损坏的机率，提高芯片的良率和可靠性，并且使用寿命长，无需经常更换，降低投资成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 正面 边缘 损坏 风险 mosfet 芯片 | ||
【主权项】：
一种降低正面边缘损坏风险的MOSFET芯片，具有芯片本体(1)，所述芯片本体(1)包括有背面金属层(2)、正面金属层(3)以及设在背面金属层(2)与正面金属层(3)之间的衬底(4)，背面金属层(2)的面积大于正面金属层(3)的面积，其特征在于：所述的衬底(4)与背面金属层(2)接触面且靠近边缘处均设有绝缘层(5)。
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