[实用新型]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201720886897.1 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN206921847U | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;林兓兓;蔡吉明;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体领域，涉及一种发光二极管，本实用新型中设计的有源层中，包括第一多量子阱层、第二多量子阱层和第三多量子阱层，其中第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层从第一半导体层至第二半导体层一侧厚度均值减小，并且其厚度均值h1、h2、h3，符合关系式h3≤(h1+h2+h3)/3，h2≤（h1+h3）/2，利用第一势垒层中较厚的量子垒层，阻挡电子溢流，并维持有源层的生长质量，从而降低QCSE，以提升IQE，提升LED器件亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，所述发光二极管至少包括依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层从下至上依次包括第一多量子阱层、第二多量子阱层和第三多量子阱层，所述第一多量子阱层由复数对第一势垒层和第一势阱层层叠而成，所述第二多量子阱层由复数对第二势垒层和第二势阱层层叠而成，所述第三多量子阱层由复数对第三势垒层和第三势阱层层叠而成，其特征在于：所述第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层厚度均值从所述第一半导体层向第二半导体层方向减小，而第一势阱层、第二势阱层、第三势阱层的厚度不变。
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