[实用新型]瞬态电压抑制器

摘要

本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器，该瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的外延层；隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；掺杂区，在所述第一隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；第一电极，用于将所述掺杂区和所述外延层位于所述第二隔离岛的部分彼此电连接。该瞬态电压抑制器在单芯片上通过将一个纵向NPN结构与一个PN结构并联，使其成为单向低箝位电压的瞬态电压抑制器，有利于减小芯片尺寸和降低封装成本。

主权项

一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的第二掺杂类型的外延层，其中第一掺杂类型与第二掺杂类型不同；第一掺杂类型的隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；第一掺杂类型的掺杂区，在所述第一隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；第一电极，用于将所述掺杂区和所述外延层位于所述第二隔离岛的部分彼此电连接。