[实用新型]一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源有效

专利信息
申请号: 201720907078.0 申请日: 2017-07-25
公开(公告)号: CN207051761U 公开(公告)日: 2018-02-27
发明(设计)人: 徐卫林;刘俊昕;孙晓菲;岳宏卫;李海鸥;段吉海 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司45107 代理人: 陈跃琳
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 实用新型公开一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源,由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成。启动电路用于在电源上电时提供启动电流,使基准电压源摆脱简并偏置点。PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路,利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率,分别用于产生具有正温度系数电流和具有负温度系数电流。基准电压产生电路用于产生低温漂的基准电压,采用共源共栅电流镜,从PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路中复制电流并进行叠加求和,产生零温漂基准电流,基准电压产生电路输出电压即为整个基准电压源输出电压Vref。本实用新型能够大大提高基准电压源的精度。
搜索关键词: 一种 基于 不同 材质 电阻 高精度 基准 电压
【主权项】:
一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源,由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成;其特征是,上述PTAT电流产生电路由MOS管M12‑M19和电阻R0组成;MOS管M12和MOS管M13的源极与电源VDD连接;MOS管M18的源极直接与地GND连接;MOS管M19的源极经电阻R0与地GND连接;MOS管M12的漏极与MOS管M14的源极连接;MOS管M14的漏极与MOS管M16的漏极连接;MOS管M16的源极与MOS管M18的漏极连接;MOS管M13的漏极与MOS管M15的源极连接;MOS管M15的漏极与MOS管M17的漏极连接;MOS管M17的源极与MOS管M19的漏极连接;MOS管M13的栅极与漏极共接后,与MOS管M12的栅极连接,并共同形成PTAT电流产生电路的第二支路电流输出端,与基准电压产生电路连接;MOS管M15的栅极与漏极共接后,与MOS管M14的栅极连接,并共同形成PTAT电流产生电路的第三支路电流输出端,与基准电压产生电路连接;MOS管M16的栅极与漏极共接后,与MOS管M17的栅极连接,并共同形成PTAT电流产生电路的输入端,与启动电路连接;MOS管M18的栅极与漏极共接后,与MOS管M19的栅极连接;上述CTAT电流产生电路由MOS管M20‑M27和电阻R1组成;MOS管M20和MOS管M21的源极与电源VDD连接;MOS管M26的源极直接与地GND连接;MOS管M27的源极经电阻R1与地GND连接;MOS管M20的漏极与MOS管M22的源极连接;MOS管M22的漏极与MOS管M24的漏极连接;MOS管M24的源极与MOS管M26的漏极连接;MOS管M21的漏极与MOS管M23的源极连接;MOS管M23的漏极与MOS管M25的漏极连接;MOS管M25的源极与MOS管M27的漏极连接;MOS管M21的栅极与漏极共接后,与MOS管M20的栅极连接,并共同形成CTAT电流产生电路的第四支路电流输出端,与基准电压产生电路连接;MOS管M23的栅极与漏极共接后,与MOS管M22的栅极连接,并共同形成CTAT电流产生电路的第五支路电流输出端,与基准电压产生电路连接;MOS管M24的栅极与漏极共接后,与MOS管M25的栅极连接;MOS管M26的栅极与漏极共接后,与MOS管M27的栅极连接;其中PTAT电流产生电路的电阻R0与CTAT电流产生电路的电阻R1的材质不同。
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