[实用新型]基于单模‑多模‑单模光纤结构的磁场强度检测传感器有效
| 申请号： | 201720929904.1 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN206945931U | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 牛龙飞;周国瑞;马志强;苗心向;袁晓东;刘昊;蒋一岚;刘青安;李可欣 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人： | 郑健 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于单模‑多模‑单模光纤结构的磁场强度检测传感器，包括第一单模光纤；多模光纤，其输入端与所述第一单模光纤的输出端熔接；所述多模光纤的表面附着超磁致伸缩材料层；第二单模光纤，其输入端与所述多模光纤的输出端熔接。本实用新型的磁场检测传感器，当宽光谱光源发出的光在第一单模光纤中传输，进入多模光纤中形成多模干涉，部分波长的光在其中形成波谷，而后进入第二单模光纤中继续传输，当带有超磁致伸缩材料层的多模光纤处于磁场环境中导致超磁致伸缩材料发生微小形变及波导折射率变化从而影响多模光纤的波导干涉条件变化，导致谐振波长的偏移，依据谐振波长的偏移量，获得磁场的变化量。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单模 多模 光纤 结构 磁场强度 检测 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于单模‑多模‑单模光纤结构的磁场强度检测传感器，其特征在于，包括：第一单模光纤；多模光纤，其输入端与所述第一单模光纤的输出端熔接；所述多模光纤的表面附着超磁致伸缩材料层；第二单模光纤，其输入端与所述多模光纤的输出端熔接。
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