[实用新型]多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器有效
| 申请号： | 201720931623.X | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN207165239U | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘吉平;朱金桥;唐伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，一种多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，包括存储晶体管，所述存储晶体管与阱耦合电容连接形成浮栅晶体管，阱耦合电容为P型阱区和多晶硅层形成的电容，并且阱耦合电容所形成的电容容值大于存储晶体管的栅极电容，位线选择晶体管和位线选择晶体管为N型晶体管，具有选通功能；本实用新型能够在不增加制造工艺复杂度的条件下，实现非易失性存储功能；同时，双单元结构，相对于其他CMOS工艺的非易失性存储器，降低了存储器的占用面积，从而为业界提供了一种高性价比的存储器解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 擦写 单层 多晶 挥发性 存储器 | ||
【主权项】：
一种多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，其特征在于：包括存储晶体管，所述存储晶体管与阱耦合电容连接形成浮栅晶体管，阱耦合电容为P型阱区和多晶硅层形成的电容，并且阱耦合电容所形成的电容容值大于存储晶体管的栅极电容，位线选择晶体管和位线选择晶体管为N型晶体管，具有选通功能；浮栅晶体管的栅极连接负电压，基极连接正电压，位线选择栅接地，源极选择栅接地，源极线连接正电压，位线连接正电压，在浮栅晶体管的基极与栅极之间产生强电场，浮栅中的电子被移除，从而实现了擦除功能，同时降低了浮栅晶体管的阈值。
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