[实用新型]一种高功率半导体激光器结构有效
| 申请号： | 201720939836.7 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN207218000U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 韦欣;徐建人 | 申请（专利权）人： | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)33253 | 代理人： | 李伊飏 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市南湖区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高功率半导体激光器结构，包括衬底层以及在所述衬底层由下至上依次生长的缓冲层、过渡层一、波导层一、过渡层二、限制层一、有源层、限制层二、过渡层三、波导层二、过渡层四和接触层，所述限制层一和所述有源层之间设有隔离层一，所述有源层和所述限制层二之间设有隔离层二，所述隔离层一和所述隔离层二为非故意掺杂的砷化镓材料。本实用新型的高功率半导体激光器结构能够降低砷化铝铟镓外延层中O含量，并降低暗线缺陷传播速度的外延结构，器件寿命和可靠性有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
一种高功率半导体激光器结构，包括衬底层(1)以及在所述衬底层(1)由下至上依次生长的缓冲层(2)、过渡层一(3)、波导层一(4)、过渡层二(5)、限制层一(6)、有源层(8)、限制层二(10)、过渡层三(11)、波导层二(12)、过渡层四(13)和接触层(14)，其特征在于：所述限制层一(6)和所述有源层(8)之间设有隔离层一(7)，所述有源层(8)和所述限制层二(10)之间设有隔离层二(9)，所述隔离层一(7)和所述隔离层二(9)为非故意掺杂的砷化镓材料。
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