[实用新型]一种无铝高功率半导体激光泵浦器件结构有效
| 申请号： | 201720944694.3 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN207165917U | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 韦欣;徐建人 | 申请（专利权）人： | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)33253 | 代理人： | 李伊飏 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市南湖区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种无铝高功率半导体激光泵浦器件结构，包括衬底层以及在所述衬底层由下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，所述下限制层与所述上限制层为不含铝的InGaP材料，且所述下限制层与所述上限制层掺杂类型相反，所述下波导层与所述上波导层为不含铝的InGaAsP材料，所述上限制层为不含铝的InGaP材料。具有下述有益效果无铝高功率半导体激光泵浦器件结构的可靠性优良，用该结构的激光器的寿命也显著延长，可达到一万五千小时以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无铝高 功率 半导体 激光 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种无铝高功率半导体激光泵浦器件结构，包括衬底层(1)以及在所述衬底层(1)由下至上依次生长的缓冲层(2)、下限制层(3)、下波导层(4)、有源层(5)、上波导层(6)、上限制层(7)和欧姆接触层(8)，其特征在于：所述下限制层(3)与所述上限制层(7)为不含铝的InGaP材料，且所述下限制层(3)与所述上限制层(7)掺杂类型相反，所述下波导层(4)与所述上波导层(6)为不含铝的InGaAsP材料，所述上限制层(7)为不含铝的InGaP材料。
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