[实用新型]远红外波宽频探测器有效
| 申请号： | 201720946007.1 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN207282510U | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 孙云飞;陶重犇;班建民;罗恒 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01Q1/36 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种远红外波宽频探测器，包括基底层；所述基底层上设有氮化镓层；所述氮化镓层上设有源电极、漏电极、氮化铝镓层；所述氮化镓层与氮化铝镓层之间设有硫化镓层；所述氮化铝镓层位于源电极、漏电极之间；所述氮化铝镓层上设有1号天线、2号天线、3号天线、栅极；所述1号天线、2号天线、3号天线呈品字形分布；所述1号天线与2号天线结构一致，都为长方体结构；所述1号天线靠近栅极的侧面设有凹槽；所述2号天线靠近栅极的侧面设有凹槽；所述1号天线的凹槽与2号天线的凹槽相对；所述3号天线为梯形体结构；所述梯形体上表面设有凹槽。可以收集不同方向的电磁波，实现了多向、宽频检测。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 宽频 探测器 | ||
【主权项】：
一种远红外波宽频探测器，包括基底层；所述基底层上设有氮化镓层；所述氮化镓层上设有源电极、漏电极、氮化铝镓层；所述氮化镓层与氮化铝镓层之间设有硫化镓层；所述氮化铝镓层位于源电极、漏电极之间；所述氮化铝镓层上设有1号天线、2号天线、3号天线、栅极；所述1号天线、2号天线、3号天线呈品字形分布；所述1号天线与2号天线结构一致，都为长方体结构；所述1号天线靠近栅极的侧面设有凹槽；所述2号天线靠近栅极的侧面设有凹槽；所述1号天线的凹槽与2号天线的凹槽相对；所述3号天线为梯形体结构；所述梯形体上表面设有凹槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州科技大学，未经苏州科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720946007.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种机械式发光键盘
- 下一篇：一种排版机自清理归正装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
