[实用新型]一种整流二极管芯片结构有效
| 申请号： | 201720959366.0 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN206961835U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王民安;黄富强;汪杏娟;郑春鸣;叶民强;黄永辉;王志亮;王日新 | 申请（专利权）人： | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)44240 | 代理人： | 叶绿林,杨大庆 |
| 地址： | 245000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种整流二极管芯片结构，该整流二极管芯片结构包括长基区N，设置在长基区N上表面的N+层，设置在长基区N下表面的P和P+层，所述N+层向下延伸至P层设有电压槽，所述电压槽位于芯片的周边，为单边槽结构；在P层平面上设置有P型凸台，所述P型凸台位于电压槽的下方；所述P型凸台的宽度大于电压槽底部的宽度。所述电压槽斜边的长度大于N型基区的厚度，以利于耗尽层的展宽。该整流二极管芯片具有机械强度好，且不容易崩边，能够有效提高了合格率和电特性。可广泛应用于整流二极管芯片领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整流二极管 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种整流二极管芯片结构，包括长基区N，设置在长基区N上表面的掺浓磷扩散层N+，设置在长基区N下表面的掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，还设置有电压槽，所述电压槽从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸；其特征在于：所述掺淡硼扩散层P向长基区N扩散设置有P型凸台，所述P型凸台位于电压槽的下方且电压槽的底部经过P型凸台；所述P型凸台的宽度大于电压槽底部的宽度。
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