[实用新型]一种过滤网套件及互连结构沟槽刻蚀设备有效
申请号: | 201720963582.2 | 申请日: | 2017-08-03 |
公开(公告)号: | CN207134333U | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 袁鹏华;许文泽 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种过滤网套件及互连结构沟槽刻蚀设备,属于集成电路制造技术领域,所述互连结构沟槽刻蚀设备包括压力控制阀,所述过滤网套件设置于所述压力控制阀的输入端口上,所述过滤网套件包括连接件,为环形结构,设置于所述压力控制阀的输入端口上;线圏,围绕所述连接件的外侧壁设置,所述线圈通交流电;金属过滤网,设置于所述连接件内,所述金属过滤网平行于所述压力控制阀的输入端口。上述技术方案的有益效果是通过涡流加热原理对金属过滤网加热,避免工艺反应的副产物在过滤网上沉积并进入分子泵使分子泵损坏,延长分子泵的使用寿命;同时使得反应腔下部具有较高的温度,避免副产物在反应腔的下部沉积。 | ||
搜索关键词: | 一种 过滤网 套件 互连 结构 沟槽 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
一种过滤网套件,适用于互连结构沟槽刻蚀设备,所述互连结构沟槽刻蚀设备包括反应腔和与所述反应腔连接的压力控制阀,所述过滤网套件设置于所述反应腔与所述压力控制阀之间,其特征在于,所述过滤网套件包括:连接件,为环形结构,设置于所述反应腔与所述压力控制阀之间;线圏,围绕所述连接件的外侧壁设置,所述线圈用以连接交流电;金属过滤网,设置于所述连接件内,所述金属过滤网平行于所述压力控制阀的输入端口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造