[实用新型]半导体硅环蚀刻装置有效
| 申请号： | 201721001451.2 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN207052578U | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 许赞 | 申请（专利权）人： | 重庆臻宝实业有限公司;许赞 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙)50216 | 代理人： | 龙玉洪 |
| 地址： | 401326 重庆市九*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体硅环蚀刻装置，包括上端敞口的清洗槽，所述清洗槽内设有支撑驱动机构，所述支撑驱动机构用于在蚀刻过程中保持半导体硅环在清洗槽内旋转。采用以上结构，蚀刻清洗过程中，通过支撑驱动机构驱动半导体硅环在清洗槽中稳定旋转，确保半导体硅环各部分所受到清洗液的作用基本一致，即浸泡时间、浸泡深度等相同，从而提高半导体硅环表面清洗蚀刻的均匀性，提高产品的良品率，以及清洗蚀刻效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 环蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体硅环蚀刻装置，其特征在于：包括上端敞口的清洗槽(1)，所述清洗槽(1)内设有支撑驱动机构(2)，所述支撑驱动机构(2)用于在蚀刻过程中保持半导体硅环在清洗槽(1)内旋转。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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