[实用新型]一种AlN外延层以及AlGaN光电器件

摘要

一种AlN外延层以及AlGaN光电器件，涉及半导体外延技术领域，该AlN外延层依次包括蓝宝石衬底、N极性隔绝层、成核层、缺陷修复层和快速沉积层。N极性隔绝层在较低温度下沉积得到，可以防止形成N极性AlN，以形成单一的Al极性。成核层的沉积温度略有提高，使得Al原子的表面迁移能力提高，以提高成核层质量。缺陷修复层在较高温度下沉积得到，其可以保证应变释放和位错湮灭，并降低点缺陷浓度。快速沉积层则是在高温下沉积得到，高温利于保持Al原子的高迁移能力，生长效率高。该AlN外延层表面平整、没有表面缺陷、极性单一、位错密度低。该AlGaN光电器件是在上述AlN上继续生长得到，其表面平整、没有表面缺陷、位错密度低。

主权项

1.一种AlN外延层，其特征在于，依次包括：蓝宝石衬底；N极性隔绝层，所述N极性隔绝层的厚度为1～5nm，其有机铝的量相对富裕，具有Al极性的单一性；成核层，所述成核层的厚度为20～50nm，其表面质量好；缺陷修复层，所述缺陷修复层的厚度为100～800nm，其表面具有岛状模式生长的AlN；以及快速沉积层，所述快速沉积层的厚度为大于等于1000nm。