[实用新型]一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET的元胞结构有效
| 申请号： | 201721064319.6 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN207572358U | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;黄兴;倪炜江;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;窦娟娟;胡羽中 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构，该元胞结构从下至上包括衬底、AlN隔离层、石墨烯掩埋散热层、AlN成核层，GaN缓冲层，n型重掺杂GaN层，n型GaN层，p型GaN电子阻挡层、非掺杂GaN层以及AlGaN势垒层；元胞结构的栅槽孔由元胞结构的顶部一直延伸至所述n型GaN层，所述栅槽孔的侧壁及底部均设置有栅介质层。本申请解决了现有常关型GaN MISFET器件不能同时兼具均匀而稳定的大阈值电压、低的器件导通电阻和高开关速率的技术问题，针对GaN基III‑V族材料功率器件中的常关型类别，提出一种具有纵向栅极结构的常关型GaN MISFET器件元胞结构及其制备方法，以实现GaN MISFET器件稳定大阈值电压常关型操作的同时有效降低器件的开启导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 元胞结构 散热层 石墨烯 掩埋 导通电阻 纵向沟道 阈值电压 栅槽 非掺杂GaN层 本实用新型 电子阻挡层 功率器件 降低器件 器件元胞 栅极结构 栅介质层 成核层 隔离层 侧壁 衬底 制备 延伸 申请 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET的元胞结构，其特征在于，所述元胞结构从下至上包括衬底、AlN隔离层、石墨烯掩埋散热层、AlN成核层，GaN缓冲层，n型重掺杂GaN层，n型GaN层，p型GaN电子阻挡层、非掺杂GaN层以及AlGaN势垒层；元胞结构的栅槽孔由元胞结构的顶部一直延伸至所述n型GaN层，所述栅槽孔的侧壁及底部均设置有栅介质层。
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