[实用新型]一种含极化调控层的AlGaN基量子阱红外探测器

摘要

本实用新型公开了一种含极化调控层的AlGaN基量子阱红外探测器，该探测器的结构包括下电极接触层、功能层和上电极接触层，功能层由周期性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN/AlzGa1‑zN复合异质结构构成，其中0≤x<z<y≤1；本实用新型提供的量子阱红外探测器通过在量子势阱层和量子势垒层之间引入一层极化调控层，将对势垒层的极化电场产生有效屏蔽，能提高光生电子在准连续态能级上的迁移效率，进而提高器件的响应信号强度，有望解决目前中（远）红外波段的AlGaN基量子阱红外探测器只能工作在极低温度下的问题。

主权项

一种含极化调控层的AlGaN基量子阱红外探测器，其特征在于，按照材料结构自下至上依次包括：衬底、缓冲层、成核层、下电极接触层、功能层和上电极接触层；所述缓冲层、成核层、下电极接触层、功能层和上电极接触层所选材料均为AlGaN，Al组分任意可调；所述功能层包括量子势阱层、极化调控层和量子势垒层，所述量子势阱层的厚度为0.0005 µm至0.01 µm，所述极化调控层的厚度为0.002 µm至0.05 µm，所述量子势垒层的厚度为0.02 µm至0.2 µm；所述量子势阱层、极化调控层和量子势垒层由周期性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN/ AlzGa1‑zN复合异质结构构成，其中：AlxGa1‑xN为量子势阱层，AlyGa1‑yN为极化调控层， AlzGa1‑zN 为量子势垒层，其中0≤x<z<y≤1。