[实用新型]改善电流尖端效应的引线框架及封装体有效
| 申请号： | 201721106813.4 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN207183261U | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 向荣忠;姚感;阳小芮 | 申请（专利权）人： | 上海凯虹科技电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人： | 翟羽,高翠花 |
| 地址： | 201612 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种改善电流尖端效应的引线框架，包括承受高压的第一引脚及与所述第一引脚相对的第二引脚，还包括设置在所述第二引脚同一侧的第三引脚，所述第三引脚具有一延伸部，所述延伸部位于所述第一引脚与所述第二引脚之间，以在第一引脚与第二引脚之间产生电流尖端效应时起到隔离作用。本实用新型的优点在于，将第三引脚的延伸部设置在第一引脚及第二引脚之间，增加了第一引脚与第二引脚之间的隔离，使得第一引脚与第二引脚之间的耦合电容很小或没有耦合电容，场效应晶体管（MOS管）导通和关断时的开关波形不会耦合到第二引脚上，进而解决了电流尖峰的问题，改善了电流尖端效应。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 电流 尖端 效应 引线 框架 封装 | ||
【主权项】：
一种改善电流尖端效应的引线框架，包括承受高压的第一引脚及与所述第一引脚相对的第二引脚，其特征在于，还包括设置在所述第二引脚同一侧的第三引脚，所述第三引脚具有一延伸部，所述延伸部位于所述第一引脚与所述第二引脚之间，以在第一引脚与第二引脚之间产生电流尖端效应时起到隔离作用。
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