[实用新型]一种MOS管过流保护电路有效
申请号: | 201721125190.5 | 申请日: | 2017-09-04 |
公开(公告)号: | CN207117586U | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 许守东;陈勇;李胜男;郭成;周鑫 | 申请(专利权)人: | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
主分类号: | H03K17/081 | 分类号: | H03K17/081 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 逯长明,许伟群 |
地址: | 650217 云南省昆*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种MOS管过流保护电路,利用MOS管发生过流时其导通电压VDS将产生压降这一特性,判断MOS管是否发生过流,其具体判断过程为,在接通MOS管后,若MOS管的导通电压VDS稳定,则判定MOS管正常运行中;若MOS管的导通电压VDS升高,则判定MOS管发生过流故障。与传统的MOS管过流保护电路相比,本申请的MOS管过流保护电路利用MOS管发生过流时其导通电压VDS将产生压降这一特性,避免了高成本、高功耗电流采样器等装置的使用,大幅降低了保护电路的功耗与成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 mos 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种MOS管过流保护电路,用于与MOS管连接,其特征在于,所述MOS管过流保护电路包括第一电容(C1)、充电电路(L1)、放电电路(L2)与MOS管断开电路(L3);所述第一电容(C1)串联在MOS管的S极与MOS管的D极之间;所述充电电路(L1)与放电电路(L2)并联后串联在所述第一电容(C1)与MOS管驱动电路之间,所述充电电路(L1)用于根据MOS管驱电路传输的MOS管导通信号,并对所述第一电容(C1)充电,使所述第一电容(C1)的充电电压随MOS管的导通电压VDS同步升降;所述放电电路(L2)用于根据MOS管驱动电路传输的MOS管断开信号,并对所述第一电容(C1)完全放电;所述MOS管断开电路(L3)串联在所述第一电容(C1)与MOS管的G极之间,用于在所述第一电容(C1)的充电电压超过预设稳压值时,将MOS管的G极电压降低,从而使MOS管断开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南电网有限责任公司电力科学研究院,未经云南电网有限责任公司电力科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721125190.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:IGBT驱动保护电路和家用电器
- 下一篇:电磁加热装置的开关管控制电路