[实用新型]一种MOS管过流保护电路有效

专利信息
申请号: 201721125190.5 申请日: 2017-09-04
公开(公告)号: CN207117586U 公开(公告)日: 2018-03-16
发明(设计)人: 许守东;陈勇;李胜男;郭成;周鑫 申请(专利权)人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
主分类号: H03K17/081 分类号: H03K17/081
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 逯长明,许伟群
地址: 650217 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 本申请公开了一种MOS管过流保护电路,利用MOS管发生过流时其导通电压VDS将产生压降这一特性,判断MOS管是否发生过流,其具体判断过程为,在接通MOS管后,若MOS管的导通电压VDS稳定,则判定MOS管正常运行中;若MOS管的导通电压VDS升高,则判定MOS管发生过流故障。与传统的MOS管过流保护电路相比,本申请的MOS管过流保护电路利用MOS管发生过流时其导通电压VDS将产生压降这一特性,避免了高成本、高功耗电流采样器等装置的使用,大幅降低了保护电路的功耗与成本。
搜索关键词: 一种 mos 保护 电路
【主权项】:
一种MOS管过流保护电路,用于与MOS管连接,其特征在于,所述MOS管过流保护电路包括第一电容(C1)、充电电路(L1)、放电电路(L2)与MOS管断开电路(L3);所述第一电容(C1)串联在MOS管的S极与MOS管的D极之间;所述充电电路(L1)与放电电路(L2)并联后串联在所述第一电容(C1)与MOS管驱动电路之间,所述充电电路(L1)用于根据MOS管驱电路传输的MOS管导通信号,并对所述第一电容(C1)充电,使所述第一电容(C1)的充电电压随MOS管的导通电压VDS同步升降;所述放电电路(L2)用于根据MOS管驱动电路传输的MOS管断开信号,并对所述第一电容(C1)完全放电;所述MOS管断开电路(L3)串联在所述第一电容(C1)与MOS管的G极之间,用于在所述第一电容(C1)的充电电压超过预设稳压值时,将MOS管的G极电压降低,从而使MOS管断开。
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