[实用新型]一种快速导通MOSFET放大电路及功率放大器有效
| 申请号： | 201721125920.1 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN207150543U | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 许守东;陈勇;李胜男;张丽;李俊鹏 | 申请（专利权）人： | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H03F1/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 逯长明,许伟群 |
| 地址： | 650217 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本申请实公开了一种快速导通MOSFET放大电路及功率放大器，具体的，在MOSFET管的栅极和源极之间并联一寄生电抗极小的电容，并能够跟随驱动信号一起驱动MOS管导通。当驱动信号源输出驱动信号时，首先使与驱动信号连接的三极管导通，进而与三极管连接的电容可以向MOSFET管的栅极充电，这个充电是脉冲式的，因为随着MOSFET管的栅极电位变化，三极管的射极与集电极之间的电压差值减小，进而截至，电容向MOSFET管的充电结束，此时MOSFET管的漏极与源极已处于持续导通的状态；通过上述电容形成的脉冲电流，MOSFET管可以快速的形成导电沟道，进而适应驱动信号的摆率，能够更好的跟随驱动信号的状态，提高产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 mosfet 放大 电路 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种快速导通MOSFET放大电路，其特征在于，所述电路包括第一MOSFET管、第一电压源、第一驱动信号源、第一直流电源、第一电容和第一三级管，其中：所述第一驱动信号源的输出端连接所述第一三级管的基极、所述第一三级管的射极连接所述第一MOSFET管的栅极；所述第一电容的一端分别连接所述第一三级管的集电极和所述第一直流电源的输出端、另一端接地；所述第一MOSFET管的漏极连接所述第一电压源的输出端、源极接地。
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