[实用新型]薄膜极化过程中的定位装置、薄膜极化承载组件及其设备有效
申请号: | 201721136045.7 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN207489841U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 王开安 | 申请(专利权)人: | 王开安 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/673;H01L41/257 |
代理公司: | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人: | 蔺显俊;梁琴琴 |
地址: | 美国加利福*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本实用新型涉及提供一种薄膜极化过程中的定位装置,其用于对包含有薄膜的压电器件定位以避免薄膜在极化过程中移位,所述定位装置与压电器件分体设置并可相对所述压电器件转动,所述定位装置转动行程中包括一抵接位置和一分离位置,所述定位装置转动至所述抵接位置时与压电器件边缘抵接并对压电器件边缘施力以将压电器件定位,所述定位装置转动至所述分离位置时,所述定位装置与所述压电器件不接触。本实用新型还提供一种采用上述定位装置的薄膜极化承载组件及采用薄膜极化承载组件的薄膜极化设备,本实用新型具有将压电器件及压电器件中的薄膜精准定位、保证薄膜极化位置准确及极化效果优良的优点。 | ||
搜索关键词: | 压电器件 薄膜 定位装置 本实用新型 承载组件 极化过程 极化 转动 抵接位置 分离位置 分体设置 极化设备 极化位置 极化效果 精准定位 转动行程 不接触 移位 抵接 施力 保证 | ||
【主权项】:
薄膜极化过程中的定位装置,其用于对包含有薄膜的压电器件定位以避免薄膜在极化过程中移位,其特征在于:所述定位装置与压电器件分体设置并可相对所述压电器件转动,所述定位装置转动行程中包括一抵接位置和一分离位置,所述定位装置转动至所述抵接位置时与压电器件边缘抵接并对压电器件边缘施力以将压电器件定位,所述定位装置转动至所述分离位置时,所述定位装置与所述压电器件不接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造