[实用新型]一种反向导通型IGBT有效
| 申请号： | 201721136373.7 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN207250523U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;薛涛 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种反向导通型IGBT，属于半导体制造技术领域。包括漂移区，在漂移区的上表面并排设置有若干MOS结构，其特征在于在漂移区的下面间隔设置有若干与漂移区半导体类型相同的重掺杂区，在相邻两个重掺杂区之间设置有位于漂移区下方且漂移区半导体类型相同的缓冲区，在缓冲区的下方设置有半导体类型与漂移区相反的外延层。在本反向导通型IGBT中，通过在漂移区下方间隔设置重掺杂区，并在相邻两个重掺杂区之间设置缓冲区和外延层，当接入反向电压时可以实现导通，实现了外部电路的反向续流或回流的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 向导 igbt | ||
【主权项】：
一种反向导通型IGBT，包括漂移区，在漂移区的上表面并排设置有若干MOS结构，其特征在于：在漂移区的下面间隔设置有若干与漂移区半导体类型相同的重掺杂区，在相邻两个重掺杂区之间设置有位于漂移区下方且漂移区半导体类型相同的缓冲区，在缓冲区的下方设置有半导体类型与漂移区相反的外延层。
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