[实用新型]一种逆向阻断型IGBT有效
| 申请号： | 201721136374.1 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN207250522U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;薛涛 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种逆向阻断型IGBT，属于半导体制造技术领域。包括漂移区，在漂移区的上表面并排形成若干MOS结构，在漂移区的下方设置有半导体类型与漂移区相反的衬底，在漂移区的外端设置有预定切割线（9），其特征在于在衬底与漂移区之间设置有半导体类型与衬底相同的外延层，在最外侧MOS结构与预定切割线（9）之间设置有若干隔离柱，隔离柱的上表面与漂移区的上表面平齐，其下表面穿过外延层后与衬底接触。在本逆向阻断型IGBT中，通过设置隔离柱，对预定切割线处的PN结进行保护，避免了外部连接反向电压时预定切割线处的PN结出现漏流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆向 阻断 igbt | ||
【主权项】：
一种逆向阻断型IGBT，包括漂移区，在漂移区的上表面并排形成若干MOS结构，在漂移区的下方设置有半导体类型与漂移区相反的衬底，在漂移区的外端设置有预定切割线（9），其特征在于：在衬底与漂移区之间设置有半导体类型与衬底相同的外延层，在最外侧MOS结构与预定切割线（9）之间设置有若干隔离柱，隔离柱的上表面与漂移区的上表面平齐，其下表面穿过外延层后与衬底接触。
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