[实用新型]共源共栅电路和电子设备有效
申请号: | 201721138280.8 | 申请日: | 2017-09-07 |
公开(公告)号: | CN207558793U | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 全祐哲;A·萨利 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种共源共栅电路和电子设备。共源共栅电路包括:包括源极和栅极的高侧晶体管;以及包括漏极、源极和栅极的低侧晶体管,其中高侧晶体管的源极耦接到低侧晶体管的漏极;并且高侧晶体管的栅极耦接到低侧晶体管的源极和栅极中的每一者。本本实用新型将要解决的问题是获得对于彼此更好地匹配的晶体管具有改善的导通/关断时间的共源共栅电路和电子设备。实用新型实现的技术效果是实现了对于彼此更好地匹配的晶体管具有改善的导通/关断时间的共源共栅电路和电子设备。 | ||
搜索关键词: | 共源共栅电路 电子设备 源极 低侧晶体管 高侧晶体管 晶体管 导通 关断 漏极 匹配 本实用新型 技术效果 | ||
【主权项】:
1.一种共源共栅电路,所述共源共栅电路包括:高侧晶体管,所述高侧晶体管包括源极和栅极;和低侧晶体管,所述低侧晶体管包括漏极、源极和栅极,其中:所述高侧晶体管的所述源极耦接到所述低侧晶体管的所述漏极;并且所述高侧晶体管的所述栅极耦接到所述低侧晶体管的所述源极和所述栅极中的每一者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的