[实用新型]一种背照式级联倍增雪崩光电二极管

摘要

本实用新型公开了一种背照式级联倍增雪崩光电二极管，在衬底上自下向上依次为缓冲层、n型掺杂AlxGa1‑xN层、i型周期级联倍增层、i型本征吸收层及p型电极层，在i型本征吸收层台面周围是光耦合汇聚结构。本实用新型通过光耦合汇聚结构有效解决了周期级联倍增结构在背入射下有效吸收率低的问题，同时减小了器件台面尺寸，降低了体漏电流。本实用新型给出了周期级联倍增雪崩光电二极管在背照射下有效工作的解决方案，适于大规模阵列集成，且适用于紫外、可见、近红外的各个波段，可广泛应用于微弱光探测成像乃至单光子探测成像领域。

主权项

一种背照式级联倍增雪崩光电二极管，其特征在于：在衬底上设置有缓冲层，缓冲层上设置有n型掺杂AlxGa1‑xN层（2），n型掺杂AlxGa1‑xN层（2）上面设置有一突起台面，突起台面上自下而上依次设置有i型周期级联倍增层（3）、i型本征吸收层（4）及p型电极层（5）；所述突起台面的周围设置有光耦合汇聚结构；所述n型掺杂AlxGa1‑xN层（2）的下沉台面上沉积有n型欧姆接触层（8），p型电极层（5）上沉积p型欧姆接触层（9）。