[实用新型]一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体有效
| 申请号： | 201721149202.8 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN207637751U | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 齐风;甄辉;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧;王宏宇;徐艳超 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，包括药液槽，所述药液槽内部设有旋转装置；所述药液槽底部设有药液槽进液系统；所述药液槽外部设有循环冷却系统，所述循环冷却系统的进口与所述药液槽连接；所述循环冷却系统的出口与循环泵浦连接，所述循环泵浦与所述药液槽进液系统连接；所述循环冷却系统与设置在所述药液槽旁边的冷水机组冷却连接。本申请的有益效果是：通过药液的外部循环和冷却，保证了药液浓度的均匀性以及药液温度的均匀性；硅片旋转装置的设计，可以使先进入药液进行腐蚀的硅片先被取出，从而保证了各个硅片腐蚀时间的一致，刻蚀深度更均匀，减少刻蚀深度的极差。 | ||
| 搜索关键词： | 药液槽 循环冷却系统 进液系统 循环泵浦 均匀性 腐蚀 槽体 刻蚀 冷却 硅片旋转装置 药液槽外部 硅片腐蚀 冷水机组 外部循环 旋转装置 硅片 极差 取出 保证 进口 申请 出口 | ||
【主权项】：
1.一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，包括药液槽，其特征在于：所述药液槽内部设有旋转装置；所述药液槽底部设有药液槽进液系统(3)；所述药液槽外部设有循环冷却系统(6)，所述循环冷却系统(6)的进口与所述药液槽连接；所述循环冷却系统(6)的出口与循环泵浦(7)连接，所述循环泵浦(7)与所述药液槽进液系统(3)连接；所述循环冷却系统(6)与设置在所述药液槽旁边的冷水机组(4)冷却连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
