[实用新型]一种集成光学强电场传感器有效

专利信息
申请号: 201721159337.2 申请日: 2017-09-08
公开(公告)号: CN207164148U 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 胡上茂;蔡汉生;贾磊;刘刚;施健;冯宾;张义;廖民传;胡泰山 申请(专利权)人: 南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心
主分类号: G01R29/08 分类号: G01R29/08
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 510663 广东省广州市萝岗区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种集成光学强电场传感器,涉及电场监测技术领域,解决了现有的集成光学强电场传感器中,光纤不能与波导基片上的光波导完全对准,导致集成光学强电场传感器的插入损耗增大,影响集成光学强电场传感器的稳定性的技术问题。该集成光学强电场传感器包括波导基片,波导基片上设置有光波导,波导基片与光波导的延伸方向垂直的两端均设置有一个硅块,每个硅块上设置有V型槽,V型槽内均粘接有裸光纤,一个硅块的V型槽内的裸光纤与光波导的一端对准,另一个硅块的V型槽内的裸光纤与光波导的另一端对准。本实用新型应用于电场监测。
搜索关键词: 一种 集成 光学 电场 传感器
【主权项】:
一种集成光学强电场传感器,其特征在于,包括:波导基片,所述波导基片上设置有光波导,所述波导基片与所述光波导的延伸方向垂直的两端均设置有一个硅块,每个所述硅块上设置有V型槽,所述V型槽内均粘接有裸光纤,一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述光波导的一端对准,另一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述光波导的另一端对准。
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