[实用新型]半导电体电荷发射测试装置有效
| 申请号： | 201721162336.3 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN207336703U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 魏艳慧;李国倡;雷清泉;郝春成 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R29/24 |
| 代理公司： | 青岛联信知识产权代理事务所(普通合伙) 37227 | 代理人： | 梁春艳 |
| 地址： | 266042*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导电体电荷发射测试装置，属于发射电荷测试领域。所述装置包括电源端和与其相连的第一电极，所述第一电极内形成空心区，所述第一电极与半导电体相接触，所述半导电体与待测试品相接触，所述试品放置在第二电极上。本申请可测试半导电体是否对试品发射电荷，以便改进或合理利用材料。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 电荷 发射 测试 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导电体电荷发射测试装置，其特征在于，包括，电源端(1)和与其相连的第一电极(2)；所述第一电极(2)内形成空心区(25)，所述第一电极(2)的下表面(22)与半导电体(3)的上表面相接触；所述半导电体(3)的下表面与待测试品(4)的上表面相接触；所述试品(4)放置在第二电极(5)上；所述半导电体(3)分为半导电体第一区(31)和与其相邻的半导电体第二区(32)；所述半导电体第一区(31)与空心区(25)相对应，所述半导电体第二区(32)与电极下表面(22)相接触；所述试品(4)分为试品第一区(41)和与其相邻的试品第二区(42)；所述试品第一区(41)与所述半导电体第一区(31)相接触，所述试品第二区(42)与所述半导电体第二区(32)相接触。
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