[实用新型]一种新型硅外延片构造的金氧半场效晶体管有效
| 申请号： | 201721180961.0 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN207097826U | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 | 申请（专利权）人： | 四川广瑞半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人： | 郭受刚 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市国开*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型硅外延片构造的金氧半场效晶体管，包括栅极、源极、漏极、二氧化硅绝缘层、两个N区、一个P区、外延片，其中，P区上端面正对氧化硅绝缘层的部位向下凹陷形成定位凹槽，二氧化硅绝缘层下表面向下突出形成一个等腰梯形状凸起，等腰梯形状凸起嵌入定位凹槽内且与定位凹槽之间构成有容置容腔，外延片嵌入该容置空腔内且与容置空腔大小形状匹配。P区内设置有位于容置容腔正下方的附加P区，附加P区的掺杂浓度大于P区的掺杂浓度。本实用新型应用时，可以有效避免外延片出现图形漂移的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 外延 构造 半场 晶体管 | ||
【主权项】：
一种新型硅外延片构造的金氧半场效晶体管，包括栅极(1)、源极(2)、漏极(3)、二氧化硅绝缘层(4)、两个N区(5)、一个P区(6)、外延片(9)，其中，两个N区(5)分别设置在P区(6)的上表面的两端，两个N区(5)和一个P区(6)整体构成方形结构；所述二氧化硅绝缘层(4)设于两个N区(5)以及P区(6)的上方；所述栅极(1)设置在两个N区(5)之间的P区(6)上侧的二氧化硅绝缘层(4)顶部；所述源极(2)穿过其中一个N区(5)上侧的二氧化硅绝缘层(4)与下侧的N区(5)连通；所述漏极(3)穿过另外一个N区(5)上侧的二氧化硅绝缘层(4)与下侧的N区(5)连通；其特征在于，所述P区(6)上端面正对氧化硅绝缘层(4)的部位向下凹陷形成定位凹槽，所述二氧化硅绝缘层(4)下表面向下突出形成一个等腰梯形状凸起，所述等腰梯形状凸起嵌入定位凹槽内且与定位凹槽之间构成有容置容腔，所述外延片(9)嵌入该容置空腔内且与容置空腔大小形状匹配；所述P区(6)内设置有位于容置容腔正下方的附加P区(7)，所述附加P区(7)的掺杂浓度大于P区(6)的掺杂浓度。
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