[实用新型]一种基于石墨烯超材料的太赫兹光栅器件有效

专利信息
申请号: 201721191473.X 申请日: 2017-09-18
公开(公告)号: CN207281413U 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 严辉;史珂;张永哲;仝文浩;庞玮;宋雪梅;张铭 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G02F1/00 分类号: G02F1/00;H01P1/20
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 代理人: 张立改
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种基于石墨烯超材料的太赫兹光栅器件,属于太赫兹技术领域。本实用新型包括衬底层、绝缘介质层、石墨烯超材料光栅层、源电极、漏电极、离子凝胶栅介电层和顶栅门电极。所述衬底水平设置在最下层,所述绝缘介质层水平设置在衬底的上表面上,所述石墨烯超材料光栅层平行设置在绝缘介质层的上表面的中间位置,所述源电极、漏电极设置在石墨烯超材料层两侧,并覆盖石墨烯超材料边缘,所述离子凝胶栅介电层旋涂在石墨烯层及源漏电极上方,所述顶栅门电极设置在离子凝胶栅介电层上方边缘位置。本实用新型与现有的光栅器件相比,可以通过栅压改变石墨烯的费米能级,实现对不同频率太赫兹波的调控,可应用于太赫兹调制器及太赫兹成像系统中。并且,对于同一频率的太赫兹波而言,可通过调节栅压实现光栅器件的开关。
搜索关键词: 一种 基于 石墨 材料 赫兹 光栅 器件
【主权项】:
一种基于石墨烯超材料的太赫兹光栅器件,其特征在于,包括衬底层(1)、绝缘介质层(2)、石墨烯超材料光栅层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、离子凝胶栅介电层(6)和顶栅门电极(7);所述衬底层(1)水平设置在最下层,所述绝缘介质层(2)水平设置在衬底的上表面上,所述石墨烯超材料光栅层(3)平行设置在绝缘介质层(2)上表面的中间位置,绝缘介质层(2)的四个边分别为两个相对的a和b边以及另一相对的c和d边,a和b边在光栅长度方向的两侧;所述源电极(4)、漏电极(5)设置在石墨烯超材料光栅层(3)两侧即绝缘介质层(2)a和b的两边的上表面,并且源电极(4)、漏电极(5)覆盖石墨烯超材料光栅层(3)边缘,所述离子凝胶栅介电层(6)旋涂在石墨烯超材料光栅层(3)及源电极(4)和漏电极(5)的上方,所述顶栅门电极(7)设置在离子凝胶栅介电层(6)上方边缘位置。
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