[实用新型]COF用挠性电路板有效

专利信息
申请号: 201721205322.5 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN207381380U 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 张志强;张金强;宋红林;张晓峰 申请(专利权)人: 珠海市创元电子材料有限公司
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L23/492
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱铁宏;李强
地址: 519040 广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及COF用挠性电路板。具体而言,公开了一种COF用挠性电路板,其附接有集成电路芯片,该COF用挠性电路板包括有机高分子薄膜基材以及结合在有机高分子薄膜基材上的导体层。导体层包括通过离子注入方法注入到基材的表面以内一定深度范围的离子注入层,以及沉积在离子注入层上的等离子体沉积层,其中,离子注入层的注入材料与基材形成掺杂结构以在基材的表面下方形成多个基桩。该COF用挠性电路板能够透过绝缘基材来识别集成电路芯片的配线,同时导体层和绝缘基材之间的结合力高并且耐离子迁移性优异,而且该COF用挠性电路板还可以进行30微米以下线距的微细线路加工。此外,本实用新型还公开了一种COF显示模组,其包括根据本实用新型的COF用挠性电路板。
搜索关键词: cof 用挠性 电路板
【主权项】:
1.一种COF用挠性电路板,其附接有一个或多个集成电路芯片,所述COF用挠性电路板包括:由绝缘材料构成的基材;和结合在所述基材上的导体层;其中,所述导体层包括通过离子注入方法注入到所述基材的表面以内一定深度范围的离子注入层,以及沉积在所述离子注入层上的等离子体沉积层;以及其中,所述离子注入层的注入材料与所述基材形成掺杂结构。
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