[实用新型]一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器有效
| 申请号： | 201721207225.X | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN207517703U | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;黄彬;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、肖特基接触区、栅介质层、栅电极层、掩蔽介质层、欧姆接触区和上电极层。该欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器具有制造工艺简单、优化电性特征和耐受过流能力的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基接触 欧姆接触 整流器 势垒 第一导电类型 掩蔽 本实用新型 欧姆接触区 导电类型 电性特征 下电极层 栅电极层 栅介质层 制造工艺 衬底层 电极层 介质层 轻掺杂 外延层 重掺杂 体区 优化 | ||
【主权项】：
1.一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于，包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第二导电类型体区(31)、肖特基接触区(40)、栅介质层(41)、栅电极层(42)、掩蔽介质层(43)、欧姆接触区(44)和上电极层(50)；所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上；所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上；所述第二导电类型体区(31)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面；所述欧姆接触区(44)覆盖于第二导电类型体区(31)之上的部分表面；所述肖特基接触区(40)覆盖于第二导电类型体区(31)之上的部分表面；所述栅介质层(41)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面和第二导电类型体区(31)之上的部分表面；所述栅介质层(41)还覆盖于肖特基接触区(40)之上；所述栅电极层(42)覆盖于栅介质层(41)之上；所述掩蔽介质层(43)覆盖于栅电极层(42)之上；所述上电极层(50)覆盖于掩蔽介质层(43)和欧姆接触区(44)之上，所述上电极层(50)与肖特基接触区(40)相连接。
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