[实用新型]一种等离子减薄装置有效
| 申请号： | 201721215002.8 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN207282468U | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 邓辉 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 谢岳鹏 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体晶片加工领域，公开了一种等离子减薄装置，包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置，其中，第一电极与第二电极平行设置，二者之间具有间隙，惰性气体供给装置用于向间隙内通入惰性气体，以在间隙内形成等离子体，等离子体向间隙外喷出形成等离子体火焰，刻蚀气体供给装置用于向等离子体火焰中通入刻蚀气体。本实用新型可以增加待加工工件与电极之间的距离，保证大尺寸晶片加工时的均匀性；同时，本实用新型的刻蚀气体在电极外的等离子体火焰中通入，不会产生电弧放电，故可以保证等离子体的稳定性，进而能够适应大尺寸晶片的加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子减薄装置，其特征在于，包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置，其中，所述第一电极与第二电极平行设置，二者之间具有间隙，所述惰性气体供给装置用于向所述间隙内通入惰性气体，以在所述间隙内形成等离子体，所述等离子体向所述间隙外喷出形成等离子体火焰，所述刻蚀气体供给装置用于向所述等离子体火焰中通入刻蚀气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
